Baden-Baden, 16. Oktober 2013 – Anlässlich des heute und morgen stattfindenden VDI Kongresses „Elektronik im Fahrzeug“ präsentieren Infineon Technologies AG und Schweizer Electronic AG erstmals einen gemeinsam entwickelten Demonstrator eines leistungsstarken Batterieschalters. Dieser Batterieschalter demonstriert, wie auf kleinstem Bauraum komplette Batteriekreise oder Teilnetze elektronisch geschaltet werden können, mit den beeindruckenden Eckdaten von 400 A Dauerstrom und 7.200 A Pulsstrom.
Ermöglicht wird dies zum einen durch die neueste MOSFET Generation von Infineon Technologies AG mit dem neuen innovativen TO-Leadless Gehäuse in Kombination mit der 40 V OptiMOS™ Halbleitertechnologie, zum anderen durch die Inlay-Leiterplattentechnologie der Schweizer Electronic AG mit 2 mm dicken Kupfer-Inlays für maximale Stromtragfähigkeit und Entwärmung.
Typische Anwendungen für den Batterieschalter sind der Ersatz der heutigen pyroelektrischen Lösungen, das Schalten von Hochstromlasten oder Batterieteilnetzen, sowohl im Fahrbetrieb als auch im Parkzustand, das Verhindern von Elektromigration und Korrosion an Elektronik-Komponenten sowie das Optimieren von Ruhe- und Fehlerströmen. Möglich ist auch der Einsatz als Batterietrennschalter für Transport oder Saisonbetrieb.
Mit dem IPLU300N04S4-R7 von Infineon kommen 40 V MOSFETs der neuesten Generation im TO-Leadless Gehäuse zum Einsatz, die speziell für niedrigsten Durchlasswiderstand (84 µOhm ), höchste Stromtragfähigkeit (300 A DC) und beste Kühlung (0,35 K/W) konzipiert sind. Trotz gesteigerter Leistungsdaten verringert sich der nötige Footprint im Vergleich zum D²PAK um 30 %. Damit sind sehr kompakte, verlustleistungseffiziente und robuste Hochstromlösungen möglich, die in der Vergangenheit aus wirtschaftlicher oder technischer Sicht so nicht realisiert werden konnten.
Die Inlay-Leiterplattentechnik von SCHWEIZER ergänzt die bemerkenswerte Halbleiterleistung durch hervorragende Stromtragfähigkeit und bestmögliche Wärmespreizung, die im Automotive-Bereich bereits etabliert ist. Durch ausgereifte Aufbautechniken kann der additive thermische Widerstand innerhalb der Leiterplatte auf < 0,1 K/W gesenkt werden. Der Durchlasswiderstand beträgt 29 µOhm, so dass sich von Klemme zu Klemme insgesamt ein Durchlasswiderstand von nur 113 µOhm ergibt. Somit leisten die genannten Parameter einen hohen Beitrag zur Wärmeabfuhr und damit zur effektiven Kühlung der Halbleiter .
Der Demonstrator zeigt in beeindruckender Weise, welche Möglichkeiten sich bereits heute mit state-of-the-art MOSFET- und Leiterplattentechnologien bieten. Kunden beider Unternehmen werden bei ihrer Systementwicklung in hohem Maße von den Vorteilen eines solchen Batterieschalters profitieren können.
Infineon und SCHWEIZER präsentieren Demonstrator eines leistungsstarken Batterieschalters auf dem Kongress „Elektronik im Fahrzeug“
